特許

J-GLOBAL ID：200903074973403159

薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

発明者： 佐藤 順一
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-231551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060328
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 シールド層間の間隔を小さくした場合にも良好な絶縁性を維持することのできる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供する。【構成】 下部シールド層30と上部シールド層35との間に、下部ギャップ絶縁層32とMR素子31とリード26と上部ギャップ絶縁層33とを含んでいる薄膜磁気ヘッドであって、リード26とMR素子31との間、及びリード26と下部ギャップ絶縁層32との間に絶縁膜34が形成されている。下部シールド層30上に下部ギャップ絶縁層32を形成し、この下部ギャップ絶縁層32上にMR膜を形成してパターニングすることによりMR素子31を形成し、コンタクトホール34aの領域を除いてこのMR素子31上及び下部ギャップ絶縁層32上に絶縁膜34を形成し、この絶縁膜34上にコンタクトホール34aを介してMR素子31と導通するリード26を形成し、このリード26上及び絶縁膜34上に上部ギャップ絶縁層33及び上部シールド層35を順次形成する。

請求項（抜粋）：

下部シールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗素子とリードと上部ギャップ絶縁層とを含んでいる薄膜磁気ヘッドであって、前記リードと前記磁気抵抗素子との間、及び前記リードと前記下部ギャップ絶縁層との間に絶縁膜が形成されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。

IPC (2件)：

G11B 5/31 ,  G11B 5/39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-019718
  
• 特開平3-108113
  
• 特開平4-182912