特許
J-GLOBAL ID：200903074982083728
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-292542
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153838
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、放熱容量の変更を容易にした半導体装置を提供せんとするものである。【構成】 上表面に凹凸8を設けたパッケージ2と、このパッケージ2の凹凸8に嵌合する凹凸9を下表面に有するヒートシンクアタッチメント1とからなり、凹凸8を凹凸9嵌合してパッケージ2にヒートシンクアタッチメント1を重ねて成ることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
表面に凹凸8を設けたパッケージ2と、このパッケージ2の凹凸8に嵌合する凹凸9を有するヒートシンクアタッチメント1とからなり、凹凸8を凹凸9嵌合してパッケージ2にヒートシンクアタッチメント1を重ねて成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 23/40
, H01L 23/04
, H01L 23/36
