面発光レーザ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：加藤一男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-153660
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353562
出願日： 2001年05月23日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：

【要約】【課題】簡単なプロセスで製造でき、動作電圧が小さくでき、高輝度の基本横モードの光出力を有する様にできる面発光レーザ装置およびその製造方法である。【解決手段】面発光レーザ装置は、少なくとも第1の半導体多層膜ミラー103、活性層105、第2の半導体多層膜ミラー109、113がこの順もしくはこの逆順に積層されている。活性層105で発生したレーザ光の出射中心領域において、第2の半導体多層膜ミラー109、113の途中にAlを含んだ半導体層を含む第1のスペーサ層118が挿入され、出射中心領域の周辺部において、第1のスペーサ118層を酸化することで形成された第2のスペーサ層117が挿入されていることで、第2の半導体多層膜ミラー109、113の反射率が異なる2つの領域が形成されている。

請求項（抜粋）：

少なくとも第1の半導体多層膜ミラー、活性層、第2の半導体多層膜ミラーがこの順もしくはこの逆順に積層されており、前記活性層で発生したレーザ光の出射中心領域において、第2の半導体多層膜ミラーの途中にAlを含んだ複数層もしくは単層の半導体層で構成された第1のスペーサ層が挿入され、前記出射中心領域の周辺部において、第2の半導体多層膜ミラーの途中の前記第1のスペーサ層を酸化することにより形成された第2のスペーサ層が挿入されていることで、第2の半導体多層膜ミラーの反射率が異なる2つの領域が形成されていることを特徴とする面発光レーザ装置。

Fターム (9件)：

5F073AA51 , 5F073AA65 , 5F073AA74 , 5F073AB17 , 5F073CA05 , 5F073DA21 , 5F073DA27 , 5F073DA35 , 5F073EA23

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