特許

J-GLOBAL ID：200903074990246725

表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法

発明者： 森 義明 ,  宮川 拓也 ,  浅野 康彦 ,  倉科 修 ,  山▲崎▼ 康男 ,  波間 徳方 ,  倉島 羊平 ,  阿南 誠
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 梅田 明彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-301763
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349051
出願日： 1994年05月14日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【目的】 減圧環境を必要とせず、装置を小型で移動可能にでき、かつ低コストで処理能力が高く、被処理材に与えるダメージが少なく、しかも必要に応じて局所的に被処理材を表面処理することができる。【構成】 誘電体材料で形成されたガス流路2内に、目的に応じて所定のガスを導入する。高周波電圧を印加することによって、大気圧またはその近傍の圧力下でガス流路内でガス中に気体放電を生じさせる。この放電により生成されるガスの活性種をガス流にして、被処理材11に曝露させてその表面を処理する。

請求項（抜粋）：

誘電体材料で形成されたガス流路内に所定のガスを導入し、前記ガス流路内で大気圧またはその近傍の圧力下で前記所定のガス中に気体放電を生じさせ、前記放電により生成される前記ガスの活性種に被処理材を曝露させてその表面を処理する工程を含むことを特徴とする表面処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/302 ,  B23K 10/02 501 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/56 ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 ,  B23K 10/02 501 Z ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/56 Z ,  H05H 1/24 ,  H05H 1/46 A