特許
J-GLOBAL ID:200903074993089728

半導体レーザの光量制御装置、画像形成装置および半導体レーザの光量制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 丹羽 宏之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-164716
公開番号(公開出願番号):特開2002-356003
出願日: 2001年05月31日
公開日(公表日): 2002年12月10日
要約:
【要約】【課題】 急激な印字比率の変化があっても半導体レーザの発光レベルを適正レベルに維持できる半導体レーザの光量制御装置、画像形成装置および半導体レーザの光量制御方法を提供する。【解決手段】 印字比率検出部11で所定期間の印字比率に応じて、半導体レーザ1の駆動電流のうちのバイアス電流値IBFに付加バイアス電流IBAを加算してバイアス電流を制御する半導体レーザの光量制御装置において、対象となる所定期間と1周期前の所定期間との印字比率の差に応じた補正電流IBRを、対象となる所定期間の印字中、前記付加バイアス電流が加算されたバイアス電流に更に加算あるいは減算する。
請求項(抜粋):
画像記録に先行して、一定期間毎に画像データの印字比率を求め、半導体レーザに定常的に流されるバイアス電流に、求められた印字比率に基づいて決定される付加バイアス電流を期間毎に加えて新たにバイアス電流を設定し、画像データに基づいて、オン,オフ制御により、前記新たに設定されたバイアス電流にパルス電流を加えて、半導体レーザに光ビームを射出させる半導体レーザの光量制御装置において、対象となる期間とその期間の一つ前の期間との印字比率を比較した結果に応じて、前記新たに設定されたバイアス電流を更に補正するバイアス電流補正手段を備えたことを特徴とする半導体レーザの光量制御装置。
IPC (3件):
B41J 2/44 ,  H01S 5/0683 ,  H04N 1/23 103
FI (3件):
H01S 5/0683 ,  H04N 1/23 103 Z ,  B41J 3/00 M
Fターム (17件):
2C362AA03 ,  2C362AA46 ,  2C362AA54 ,  2C362AA56 ,  2C362AA59 ,  2C362AA61 ,  2C362AA63 ,  5C074AA02 ,  5C074BB02 ,  5C074CC26 ,  5C074DD11 ,  5C074EE02 ,  5C074EE14 ,  5F073BA07 ,  5F073EA15 ,  5F073GA03 ,  5F073GA12

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