特許
J-GLOBAL ID：200903074994789669
p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-190029
公開番号（公開出願番号）：特開平11-346002
出願日： 1998年07月06日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 表面の結晶性を良好に保ったまま簡便にp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法を得ることを目的とする。【解決手段】 気相成長法により、少なくともガリウム元素を含む原料ガスと、窒素元素を含む原料ガスと、マグネシウム元素を含む原料ガスを反応管へ輸送し、前記反応管内に設置され加熱された基板上にマグネシウムをドープした窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させた後、前記反応管内で少なくとも前記窒素元素を含む原料ガスと窒素ガスとを供給した雰囲気ガス中で前記基板を冷却する。
請求項（抜粋）：
気相成長法により、少なくともガリウム元素を含む原料ガスと、窒素元素を含む原料ガスと、マグネシウム元素を含む原料ガスとを反応管へ輸送し、前記反応管内に設置され加熱された基板上にマグネシウムをドープした窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を成長させた後、前記反応管内で少なくとも前記窒素元素を含む原料ガスと窒素ガスとを供給した雰囲気ガス中で前記基板を冷却することを特徴とするp型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
