特許

J-GLOBAL ID：200903074998533073

III族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法

発明者： 国原 健二 ,  松原 邦雄 ,  新村 康 ,  進藤 洋一
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-062649
公開番号（公開出願番号）：特開2000-261099
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】p側のAl0.2Ga0.8N クラッド層にもクラックのないIII 族窒化物レーザーダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板1と、少なくともその上に形成されたバッファ層2、n型のGaN 層3、クラック防止層C1、AlX Ga1-x N からなるnクラッド層4、Iny Ga1-y N からなる活性層5、GaN からなるp型光ガイド層6、AlX Ga1-x N からなるpクラッド層7およびGaN からなるpコンタクト層8を有するIII 族窒化物レーザーダイオードにおいて、前記p型光ガイド層と前記pクラッド層間にp型のGaN からなる低温バッファー層L1を介在させる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板と、少なくともその上に形成されたバッファ層、n型のGaN 層、クラック防止層、AlX Ga1-x N からなるnクラッド層、Iny Ga1-y N からなる活性層、GaN からなるp型光ガイド層、AlX Ga1-x N からなるpクラッド層およびGaN からなるpコンタクト層を有するIII 族窒化物レーザーダイオードにおいて、前記p型光ガイド層と前記pクラッド層間にp型のGaN からなる低温バッファー層を有することを特徴とするIII 族窒化物レーザーダイオード。

Fターム (7件)：

5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073EA28