特許
J-GLOBAL ID:200903075000883919
半導体素子及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
高野 則次
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-127784
公開番号(公開出願番号):特開平9-293905
出願日: 1996年04月24日
公開日(公表日): 1997年11月11日
要約:
【要約】【課題】 電気的及び機械的特性の低下を伴わないで発光ダイオードの薄型化を達成する。【解決手段】 発光ダイオードチップ1の電極6aにワイヤー3をボールボンディングする。ワイヤー3を伴ったキャピラリをチップ1の上面よりも上方に移動した後に下方に移動する。次に、プレス部材22によってワイヤー3の突出した部分及びボールボンディング部分3aを押し潰す。しかる後、透明樹脂でモールドする。
請求項(抜粋):
第1及び第2の主面を有している半導体チップと、前記チップの前記第2の主面が固着されているチップ支持基体と、その一端が前記チップの前記第1の主面にボールボンディングされ、その他端が前記チップの前記第1の主面よりも低い前記支持基体上の接続導体に接続されたワイヤーとを有している半導体素子において、前記ワイヤーが前記ボールボンディング部分の頂面よりも突出しないように変形されていることを特徴とする半導体素子。
前のページに戻る