特許

J-GLOBAL ID：200903075001438706

半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 繁幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-028657
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228389
出願日： 1999年02月05日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハを破壊することなく、また、欠けやチッピングを生ずることなく安全に研磨加工およびダイシング加工する。【解決手段】 ウエハテスト終了後(a)、キャリアフレーム5を介して半導体ウエハ1の裏面をダイシング用テープ6に貼り付け(b)、半導体ウエハ1に素子形成面からセミフルダイシングした後(c)、ダイシング用テープ6を剥離する(d)。つづいて、キャリアフレーム14を介して半導体ウエハ1の素子形成面に耐化学エッチング性のフィルム13を貼り付けた後(e)、エッチング液中に浸漬して、裏面研磨と、個片の半導体チップ7ヘの分割と、セミフルダイシング工程で切断面7aに生じた加工変質層や微細亀裂等のダメージ層(損傷領域)の除去とを同時に行う(f)。個片に分割された半導体チップ7をフィルム13から外す(g)。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの素子形成面の反対面である裏面側に所定厚さのダイシング残部を残すように素子形成面からセミフルダイシングするセミフルダイシング工程と、該半導体ウエハの素子形成面上に耐化学エッチング性の保護層を形成する保護層形成工程と、素子形成面上に該保護層が形成された該半導体ウエハを裏面側から化学エッチングすることによって、該半導体ウエハの裏面の研磨と、該半導体ウエハを個片の半導体チップに分割するための該ダイシング残部の除去と、該セミフルダイシング工程で該半導体ウエハの切断面に生じた損傷領域の除去とを行う化学エッチング工程と、個片状態に分割された該半導体チップから該保護層を除去する保護層除去工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L 21/306 C ,  H01L 21/306 M ,  H01L 21/78 S ,  H01L 21/78 P

Fターム (8件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043GG01 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-270156
  
• 特開平1-186646
  
• 特開昭63-164336