特許
J-GLOBAL ID：200903075002600531
電子写真装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-295610
公開番号（公開出願番号）：特開平11-133638
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】 クリーニング性が良好で、表面層のムラ削れ、トナー融着が発生せず、また、加温手段を設けずとも画像欠陥が発生しない、高品位な画像が安定的に得られる電子写真装置を提供する。【解決手段】 導電性基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層、少なくとも水素を含む非単結品炭素からなる表面層をこの順に形成して電子写真感光体401とする。表面層は、導電性基体が負の電位となるように直流バイアス電圧を印加し、初期値を100V以上1kV以下、最終値を0Vより大きく50V未満としてプラズマCVD法により形成する。現像剤の平均粒径は5〜8μmとし、電子写真感光体の表面は硬度(JIS K6301におけるA型)が60度以上80度以下の弾性ゴムブレード421でスクレープクリーニングする。使用時の電子写真感光体401の表面の移動速度は200mm/sec以上600mm/sec以下とする。
請求項（抜粋）：
電子写真感光体を回転させ、帯電、露光、現像、転写、クリーニングを順次繰り返す電子写真プロセスにおいて、該電子写真感光体は、導電性基体上にシリコン原子を母体とする非単結晶材料からなる光導電層、少なくとも水素を含む非単結品炭素からなる表面層がこの順に形成されてなり、該表面層は、前記導電性基体が負の電位となるように直流バイアス電圧を印加するとともに該バイアス電圧を該表面層の成膜中に変化させ、前記バイアス電圧の初期値を100V以上1kV以下とし、前記バイアス電圧の最終値を0Vより大きく50V未満としてプラズマCVD法により形成されたものであって、前記現像を行う現像剤の平均粒径が5〜8μmであり、該現像剤が転写された後の前記電子写真感光体の表面の硬度(JIS K6301におけるA型)が60度以上80度以下の弾性ゴムブレードでスクレープクリーニングされ、使用時の前記電子写真感光体の表面の移動速度が200mm/sec以上600mm/sec以下であることを特徴とする電子写真装置。
IPC (5件)：
G03G 5/08 302
, G03G 5/08 311
, G03G 5/08 360
, G03G 9/08
, G03G 15/02
G03G 5/08 302
, G03G 5/08 311
, G03G 5/08 360
, G03G 15/02
, G03G 9/08
