特許

J-GLOBAL ID：200903075011821133

窒化物半導体レーザ

発明者： 小野村 正 明 ,  布 上 真 也
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-272931
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111689
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】リッジ構造の窒化物半導体レーザにおいて、低閾値電流、低雑音特性のレーザを提供する。【解決手段】窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成され窒化ガリウム系化合物半導体からなる活性層と、前記活性層上に形成され窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1の第2導電型半導体層と、前記第1の第2導電型半導体層上の一部に設けられ窒化ガリウム系化合物半導体からなるメサ型構造でストライプ状の第2の第2導電型半導体層と、を備え、前記メサ型構造の第2の第2導電型半導体層の両側にこの第2の第2導電型半導体層に並行して少なくとも前記第1の第2導電型半導体層と前記活性層とを貫くように一対の溝が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザを提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1導電型半導体層と、 前記第1導電型半導体層上に形成され窒化ガリウム系化合物半導体からなる活性層と、 前記活性層上に形成され窒化ガリウム系化合物半導体からなる第1の第2導電型半導体層と、 前記第1の第2導電型半導体層上の一部に設けられ窒化ガリウム系化合物半導体からなるメサ型構造でストライプ状の第2の第2導電型半導体層と、 を備え、 前記メサ型構造の第2の第2導電型半導体層の両側にこの第2の第2導電型半導体層に並行して少なくとも前記第1の第2導電型半導体層と前記活性層とを貫くように一対の溝が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S5/227 ,  H01S5/343

FI (2件)：

H01S5/227 ,  H01S5/343 610

Fターム (20件)：

5F073AA13 ,  5F073AA21 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA31 ,  5F073DA33 ,  5F073DA35 ,  5F073EA19 ,  5F073EA23 ,  5F073EA27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体レーザ素子および光記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-393297   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物系半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-293792   出願人：松下電器産業株式会社