特許

J-GLOBAL ID：200903075012610063

静電容量型外力検出装置

発明者： 武井 伸夫 ,  田村 勝志
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 広瀬 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-024314
公開番号（公開出願番号）：特開平10-206170
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 外来ノイズの減少、シリコン基板から発生する寄生容量の減少等を図り、角速度の検出感度、検出精度を向上させる。【解決手段】 シリコン基板22に、検出部23と、絶縁ゲート形電界効果トランジスタを用いたソース接地増幅回路からなる容量電圧変換回路32を一体的に設ける。そして、分離溝39によって、検出部23の電極支持体27が設けられた表面側シリコン層と容量電圧変換回路32が設けられた表面側シリコン層とを電気的に分離する。これにより、外来ノイズの減少、シリコン基板から発生する寄生容量の減少等を図ることができる。

請求項（抜粋）：

表面側シリコン層と裏面側シリコン層との間に絶縁層を介在させたシリコン基板と、該シリコン基板の表面側シリコン層に設けられ、外力を静電容量の変化により検出する検出部と、該検出部の近傍に位置して前記シリコン基板の表面側シリコン層に設けられ、絶縁ゲート形電界効果トランジスタを用いたソース接地増幅回路からなり、該検出部から検出される静電容量の変化を電圧信号に変換する容量電圧変換回路と、前記検出部が設けられた表面側シリコン層と前記容量電圧変換回路が設けられた表面側シリコン層とを電気的に分離する絶縁部とから構成してなる静電容量型外力検出装置。

IPC (3件)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  H01L 29/84 Z