特許
J-GLOBAL ID:200903075018604987
電極パターン形成方法およびディスプレイパネルの製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (1件):
内藤 照雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-074475
公開番号(公開出願番号):特開2004-281329
出願日: 2003年03月18日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】バリの発生および浮きによる隙間の発生の虞を解消し、信頼性を向上させた電極パターンの形成方法およびその電極パターンの形成方法を用いたディスプレイパネルの製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に、基板1に隣接する第1レジスト層21と、第1レジスト層21に隣接する第2レジスト層22と、を積層する第1工程と、第1レジスト層21および第2レジスト層22を、所定パターンのマスクを介して露光、現像し、内広がりの開口凹部20Pを形成する第2工程と、開口凹部20Pを介して、基板1上に金属膜3aを成膜し、このとき、第2レジスト層22の開口縁部22aに付着する金属膜3cと基板1上の金属膜3aとを分離するように形成する第3工程と、第1レジスト層21および第2レジスト層22を、基板1から剥離することで、基板1上の金属膜3aを残す第4工程と、を含む電極パターンの形成方法。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板上に、前記基板に隣接する第1レジスト層と、前記第1レジスト層に隣接する第2レジスト層と、を積層する第1工程と、
前記第1レジスト層および前記第2レジスト層を、所定パターンのマスクを介して露光、現像し、内広がりの開口凹部を形成する第2工程と、
前記開口凹部を介して、前記基板上に金属膜を成膜し、このとき、前記第2レジスト層の開口縁部に付着する金属膜と前記基板上の金属膜とを分離するように形成する第3工程と、
前記第1レジスト層および前記第2レジスト層を、前記基板から剥離することで、前記基板上の金属膜を残す第4工程と、を含むことを特徴とする電極パターンの形成方法。
IPC (4件):
H01J9/02
, G09F9/30
, H01J11/02
, H01L21/027
FI (4件):
H01J9/02 F
, G09F9/30 343
, H01J11/02 B
, H01L21/30 576
Fターム (19件):
5C027AA01
, 5C027AA02
, 5C040GC19
, 5C040JA15
, 5C040JA16
, 5C094AA31
, 5C094AA42
, 5C094AA43
, 5C094DA13
, 5C094DB01
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5C094GB10
, 5F046NA03
, 5F046NA05
, 5F046NA14
, 5F046NA15
, 5F046NA19
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