特許
J-GLOBAL ID：200903075022961999
半導体デバイスと、同デバイスの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-526145
公開番号（公開出願番号）：特表2000-503479
出願日： 1997年01月16日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】動作特徴を改良し、半導体デバイスの操作の過程中に生ずる脱不動態を減じるためにジュウテリウムによって半導体デバイスをコンディショニングするための好ましい方法を述べる。周期律表のIII族、IV族又はV族からの1種類以上の元素を含有する半導体(12)と、半導体層(13、14)と、絶縁層(17)と、導電層(20)とを含む半導体デバイス(11)をも述べる。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスの処理方法であって、前記デバイスをジュウテリウムで不動態化することを含む上記方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/324 Z
, H01L 29/78 301 F
