特許

J-GLOBAL ID：200903075023948260

レジスト材料及びレジストパターンの形成方法

発明者： 小太刀 明子 ,  武智 敏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-106214
公開番号（公開出願番号）：特開平8-305023
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】 レジスト材料の現像によるレジストパターン形成後に、レジスト膜が基板から剥離したり膜に割れが生じたりするのをなくすため、基板との密着性を高めた新しいレジスト材料を提供するとともに、このレジスト材料を使用してレジストパターンを形成する方法を提供する。【構成】 レジスト材料の主剤重合体が、保護されたアルカリ可溶性基として下記の一般式で示される構造の基を有するようにする。【化1】(この式において、R1 、R2 、R3 及びR4 は、直鎖の又は分岐したアルキル基又は置換アルキル基、脂環式炭化水素基、及びそれらから誘導された基であり、R1 〜R4 は同一であっても異なっていてもよい)

請求項（抜粋）：

主剤重合体と、放射線露光により酸を発生する酸発生剤とを含み、当該主剤重合体がその繰返し単位に保護されたアルカリ可溶性基を有し、このアルカリ可溶性基の保護基が酸により脱離することで当該重合体をアルカリ可溶性にするレジスト材料であって、当該主剤重合体が、下記の一般式で示される構造を有する基を当該保護されたアルカリ可溶性基として有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(この式において、R1 、R2 、R3 及びR4 は、直鎖の又は分岐したアルキル基又は置換アルキル基、脂環式炭化水素基、及びそれらから誘導された基であり、R1 〜R4 は同一であっても異なっていてもよい)

IPC (3件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 503 ,  H01L 21/30 502 R