半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001781
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200102
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：

【要約】【課題】チップ面積の増大を極力抑えた逆電流を通電できる横型IGBTを提供すること。【解決手段】誘電体分離基板123の第2半導体基板3にpウェル領域4を形成し、pウェル領域4と離してnバッファ領域7を形成する。pウェル領域4の表面層にn+ エミッタ領域6を形成し、さらにp+ コンタクト領域5を形成し、nバッファ領域7の表面層にp+ コレクタ領域8を形成する。また同一の素子形成領域の第2半導体基板3の表面層にpウェル領域4と離してn拡散領域9およびp拡散領域11を形成し、n拡散領域9の表面層にn+ カソード領域10を形成し、p拡散領域11にはp+ アノード領域12を形成する。但し、横型IGBTのn+ エミッタ領域6と横型ダイオードが隣接する領域では、横型IGBTのp+ コンタクト領域5が横型ダイオードのp+ アノード領域12を兼ねている。さらに、エミッタ端子Eとアノード端子Aとを接続し、コレクタ端子Cとカソード端子Kとを接続する。

請求項（抜粋）：

第1導電形もしくは第2導電形のいずれかの第1半導体基板と第1導電形の第2半導体基板とが第1酸化膜を介して貼り合わされた貼り合わせ基板で、第1酸化膜に達する溝が第2半導体基板に形成され、該溝の表面が第2酸化膜で被覆され、該溝が多結晶半導体で充填され、該溝によって第2半導体基板が複数個の素子形成領域に分割される誘電体分離基板において、同一の素子形成領域内に少なくとも横型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタと横型ダイオードとが形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/762 , H01L 21/8222 , H01L 27/06 , H01L 27/12

FI (7件)：

H01L 29/78 656 B , H01L 27/12 Z , H01L 21/76 D , H01L 27/06 101 D , H01L 29/78 301 J , H01L 29/78 652 S , H01L 29/78 655 Z

引用特許：

審査官引用 (15件)

少なくとも1個のIGBTを有する集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-067233 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開昭55-140439
特開平3-042431

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