特許

J-GLOBAL ID：200903075032711400

金属及び誘電体構造体の化学的-機械的磨き用の磨き剤スラリー

発明者： クリステイナ・フオクト ,  ゲルト・パツシング ,  ミング-シー・ツアイ
出願人/特許権者： バイエル アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 小田島 平吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-357497
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231667
出願日： 2001年11月22日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】 金属及び誘電体構造体の化学的-機械的磨き用の磨き剤スラリーを提供する。【解決手段】 該磨き剤スラリーは、SiO2 を15-40重量%含み且つH+またはK+イオンで安定化され、SiO2 粒子が300nm以下の平均粒径を有する、シリカゾル約2.5-約70容量%、過酸化水素約6-約10容量%及び磨き剤スラリーのpH(22°C)を約5-約11.5の範囲のpHに設定し、>300A/分のTa除去速度及び改良された選択性を有しさせるのに適当な量の塩基から成る。

請求項（抜粋）：

(a)300nm以下の平均粒径を有するSiO2 粒子を約15-約40重量%含むシリカゾル約2.5-約70容量%、及び(b)過酸化水素約6-約10容量%及び磨き剤スラリーのpHを22°Cにおいて約5-約11.5の範囲のpHに設定するのに十分な量の塩基、を含んでなる磨き剤スラリー。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (3件)：

H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D

Fターム (5件)：

3C058AA07 ,  3C058AC04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体基板研磨用組成物、半導体配線基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-365429   出願人：昭和電工株式会社
• 化学的機械的研磨用スラリー
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-374483   出願人：日本電気株式会社, 東京磁気印刷株式会社