特許

J-GLOBAL ID：200903075036448518

集積マイクロメカニカルセンサデバイス及びその製造方法

発明者： ウエルナー、ウオルフガング
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-509491
公開番号（公開出願番号）：特表平8-510094
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：

【要約】集積マイクロメカニカルセンサデバイスは基板(1)とこの上に配置された絶縁膜(2)とこの上に配置された単結晶シリコン膜(3)とを備えた基体(10)を含んでおり、シリコン膜(3)は絶縁膜の表面までトレンチを有し、このトレンチの側壁とシリコン膜の絶縁膜側とは第1ドーピング(n+)を有しシリコン膜はその残されている表面の少なくとも一部領域に第2ドーピング(n-)を有し、シリコン膜は第1領域(TB)にトランジスタ装置を有しかつ第2領域(SB)にセンサ装置を有し、このために第2領域の下の絶縁膜(2)は一部分を除去される。この種のセンサデバイスは公知のデバイスに比較してその特性及びその製造方法に関して多くの長所を有している。

請求項（抜粋）：

a)基板(1)上に配置された絶縁膜(2)とその上に配置された単結晶シリコン膜(3)とを備えた基体を形成し、その際シリコン膜は予め定められたドーピング(n+、n-)を有するようにする工程、b)絶縁膜の表面までシリコン膜内にトレンチをエッチング形成する工程、c)トレンチ壁にドープする工程d)シリコン膜の第1領域(TB)にトランジスタ装置を形成する工程、e)シリコン膜の第2領域(SB)の下の絶縁膜(2)を除去する工程、を有することを特徴とする集積マイクロメカニカルセンサデバイスの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/84 ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12

FI (3件)：

H01L 29/84 B ,  G01L 9/04 101 ,  G01P 15/12

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 加速度センサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-108020   出願人：日本電装株式会社