特許
J-GLOBAL ID：200903075037635168
薄膜形成方法
発明者：
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-004905
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199493
出願日： 1996年01月16日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置を形成するウエハの大口径化に対応して、低コストで薄膜を形成し、加えて、平坦化ができるようにすることを目的とする。【解決手段】 半導体基板1上にAlをスパッタ法で膜厚0.5μmに形成し、この後、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術で配線パターンを転写することによりAl電極配線層2を形成する。次いで、この上に絶縁膜(薄膜)3が形成されたシートフィルム(基材)4を張り合わせ、絶縁膜3を半導体基板1表面に転写する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に薄膜を形成する薄膜形成方法において、基材表面上に前記薄膜を形成し、前記基材の表面を前記半導体基板表面と対向させて、間に前記薄膜が挟まれた状態で前記基材と前記半導体基板とを張り合わせ、前記基材を前記半導体基板に押しつけることで前記薄膜を前記半導体基板に転写することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/314
, H01L 21/3205
H01L 21/314 A
, H01L 21/88 K
