特許

J-GLOBAL ID：200903075043211310

太陽電池及びその製造方法

発明者： 村上 勉 ,  緑川 敬史 ,  一ノ瀬 博文 ,  森 隆弘 ,  川上 総一郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-284737
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140648
出願日： 1992年10月22日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、欠陥に起因するシャントやショートを修復した、特性が高く信頼性の良好な太陽電池と量産性の高いその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の太陽電池は、導電性基体上に少なくとも1つの接合を有する半導体層と電極とを積層してなる太陽電池において、低抵抗の欠陥部分が選択的に電着樹脂により絶縁被覆され、シャント抵抗を1×103Ωcm2以上としたことを特徴とする。本発明の太陽電池製造方法は、前記半導体層を形成後、欠陥部分に選択的に電着樹脂膜を形成し、その後、前記電極を形成する、または前記半導体層、前記電極を順次形成後、欠陥部分に選択的に電着樹脂膜を形成することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

導電性基体上に少なくとも1つの接合を有する半導体層と電極とを積層してなる太陽電池において、低抵抗の欠陥部分が選択的に電着樹脂により絶縁被覆され、シャント抵抗を1×103Ωcm2以上としたことを特徴とする太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-266068
  
• 特開昭60-046080
  
• 特開平4-226085
  
• 特開昭62-069565