カーボンナノチューブの製造方法およびその装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：日比紀彦 , 岸本瑛之助 , 渡邊彰 , 清末康子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-205629
公開番号（公開出願番号）：特開2005-053709
出願日： 2003年08月04日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】均一な電子放出に適したカーボンナノチューブ直接成長を低コストで実現することができ方法を提供する。【解決手段】導電性基板A をロードロック室3 に搬入し、同室を密閉し真空にする工程、同室に隣接した触媒蒸着室7 を真空にし同室にロードロック室から基板を搬入する工程、触媒蒸着室にて基板に触媒金属を蒸着させる工程、同室に隣接したカーボンナノチューブ成長室12を真空にし、同室に触媒蒸着室から触媒付き基板を搬入する工程、同室にて原料ガスの存在下に触媒付き導電性基板を通電により加熱し、熱CVD法により基板にカーボンナノチューブを生成させる工程、カーボンナノチューブの成長後、カーボンナノチューブ成長室を真空にし、不活性ガスを導入する工程、カーボンナノチューブ成長室からカーボンナノチューブ付き基板を搬出する工程からなる、カーボンナノチューブの製造方法である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

導電性基板をロードロック室に搬入し、同室を密閉して真空にする工程と、ロードロック室に隣接した触媒蒸着室を真空にし、同室にロードロック室から基板を搬入する工程と、触媒蒸着室において基板に触媒金属を蒸着させる工程と、触媒蒸着室に隣接したカーボンナノチューブ成長室を真空にし、同室に触媒蒸着室から触媒付き基板を搬入する工程と、カーボンナノチューブ成長室において原料ガスの存在下に触媒付き導電性基板を通電により加熱し、熱CVD法により基板にカーボンナノチューブを生成させる工程と、カーボンナノチューブの成長後、カーボンナノチューブ成長室を真空にし、不活性ガスを導入する工程と、カーボンナノチューブ成長室からカーボンナノチューブ付き基板を搬出する工程とからなる、カーボンナノチューブの製造方法。

IPC (1件)：

C01B31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (14件)：

4G146AA11 , 4G146AB06 , 4G146AC02B , 4G146BA12 , 4G146BA48 , 4G146BC08 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC27 , 4G146BC42 , 4G146DA03 , 4G146DA23 , 4G146DA28 , 4G146DA32

引用特許：

審査官引用 (13件)

平面ディスプレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-330436 出願人：伊勢電子工業株式会社
グラファイト・ナノ・ファイバー成膜方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-089468 出願人：株式会社アルバック
熱CVD法によるグラファイトナノファイバー薄膜の選択形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-307959 出願人：株式会社アルバック

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