特許

J-GLOBAL ID：200903075045599693

シリコンウェーハの製造方法

発明者： 古屋田 栄 ,  高石 和成 ,  谷口 徹 ,  藤巻 一夫 ,  工藤 明弘 ,  則本 雅史
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-080868
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282491
出願日： 2002年03月22日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可能にする。【解決手段】 本発明のシリコンウェーハの製造方法は、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程10と、スライス工程によって得られたウェーハを面取りする面取り工程11と、面取りされたウェーハを研削して平面化するラッピング工程12と、面取り工程及びラッピング工程により導入されたウェーハ表面の加工歪みの一部を研削する軽ラッピング工程13と、軽ラッピングされたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程14と、ウェーハ表裏面の加工歪みの残部をアルカリエッチングするエッチング工程16と、エッチングされたウェーハの表面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程17と、表面を鏡面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程18とを含む。

請求項（抜粋）：

単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハを得るスライス工程(10)と、前記スライス工程(10)によって得られたウェーハを面取りする面取り工程(11)と、前記面取りされたウェーハを研削して平面化するラッピング工程(12)と、前記面取り工程(11)及びラッピング工程(12)により導入されたウェーハ裏面の加工歪みの一部を研削する軽ラッピング工程(13)と、前記軽ラッピングされた前記ウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程(14)と、前記ウェーハ表裏面の加工歪みの残部をアルカリエッチングするエッチング工程(16)と、前記エッチングされたウェーハの表面を鏡面研磨する表面鏡面研磨工程(17)と、前記表面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程(18)とを含むシリコンウェーハの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 621 ,  B24B 37/04

FI (2件)：

H01L 21/304 621 A ,  B24B 37/04 Z

Fターム (3件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-289084   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-079266   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 半導体ウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-002910   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社