特許
J-GLOBAL ID:200903075046155551
フラーレン類含有半導体ヘテロ接合膜
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
星野 哲郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-169534
公開番号(公開出願番号):特開2006-344794
出願日: 2005年06月09日
公開日(公表日): 2006年12月21日
要約:
【課題】 p型およびn型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。【解決手段】 p型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記p型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
p型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記p型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/04 D
, H01L31/10 A
Fターム (10件):
5F049MB08
, 5F049NA01
, 5F049PA11
, 5F049PA20
, 5F049SE04
, 5F051AA11
, 5F051CB13
, 5F051CB30
, 5F051DA20
, 5F051FA04
引用特許:
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