特許
J-GLOBAL ID:200903075046155551

フラーレン類含有半導体ヘテロ接合膜

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 星野 哲郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-169534
公開番号(公開出願番号):特開2006-344794
出願日: 2005年06月09日
公開日(公表日): 2006年12月21日
要約:
【課題】 p型およびn型の有機半導体物質が均一に混合された、エネルギー変換効率の高い半導体ヘテロ接合膜を提供する。【解決手段】 p型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記p型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜とする。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
p型半導体となる有機化合物とフラーレン類とのディールスアルダー反応によって生成するディールスアルダー付加物を含有する膜を形成後、前記膜を加熱することによって前記ディールスアルダー付加物を前記p型半導体となる有機化合物と前記フラーレン類とに分離してなる半導体ヘテロ接合膜。
IPC (2件):
H01L 51/42 ,  H01L 31/10
FI (2件):
H01L31/04 D ,  H01L31/10 A
Fターム (10件):
5F049MB08 ,  5F049NA01 ,  5F049PA11 ,  5F049PA20 ,  5F049SE04 ,  5F051AA11 ,  5F051CB13 ,  5F051CB30 ,  5F051DA20 ,  5F051FA04
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国公開特許2004-183070号公報

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