特許

J-GLOBAL ID：200903075046598216

半導体記憶装置の冗長方法

発明者： 藤井 淳 ,  田屋 正則 ,  蓮井 知義
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-177283
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021230
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 マスクROM の冗長に関し,冗長セル(EPROM) の書込回路を必要としない冗長方法の提供を目的とする。【構成】 EPROM を用いてマスクROM の冗長プログラムを行う際に, 集束イオンビームの照射により冗長を必要とする該EPROM のフローティングゲートとVSS配線とを露出させ,次いで該集束イオンビームの照射位置に導電物質を含む原料ガスを吹きつけて局所的に導電膜を形成し, 該導電膜により該フローティングゲートと該VSS配線とを短絡させるように構成する。

請求項（抜粋）：

EPROM を用いてマスクROM の冗長プログラムを行う際に,集束イオンビーム(FIB) の照射により冗長を必要とする該EPROM のフローティングゲートとVSS配線とを露出させ,次いで該集束イオンビームの照射位置に導電物質を含む原料ガスを吹きつけて局所的に導電膜を形成し, 該導電膜により該フローティングゲートと該VSS配線とを短絡させることを特徴とする半導体記憶装置の冗長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/10 491 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 21/82 R ,  H01L 29/78 371