特許

J-GLOBAL ID：200903075047224859

液晶表示素子およびその製造方法

発明者： 深見 誠司 ,  関 敦夫 ,  松井 基
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233946
公開番号（公開出願番号）：特開平6-082822
出願日： 1992年09月01日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 絵素電位保持特性に優れ、開口率が大きい、表示品位の高い液晶表示素子およびその製造方法を提供する。【構成】 ゲート電極2および付加用両用電極3の上には、各々膜厚の異なる陽極酸化膜4a、4bが形成されている。絵素電極11と付加容量用電極3との間には、陽極酸化膜4bおよび絶縁膜5からなる誘電体層が介在しており、絵素による容量と並列に付加容量が形成されている。このコンデンサ特性により、絵素電位の保持特性が向上する。また、陽極酸化膜4a、4bはTFT14に最適な膜厚および付加容量に最適な膜厚に各々形成されているので、TFT14の特性が変化することはなく、開口率を大きく保ったままで付加容量は充分に大きくなっている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に設けられた絵素電極と、該絵素電極に印加する電圧をスイッチングする薄膜トランジスタと、該基板と該絵素電極との間に設けられた、該薄膜トランジスタのゲート電極と同じ材料からなる付加容量用電極と、を有する液晶表示素子であって、該ゲート電極および該付加容量用電極の上に陽極酸化膜が設けられ、該ゲート電極に設けられた陽極酸化膜と該付加容量用電極の上に設けられた陽極酸化膜との膜厚が異なる液晶表示素子。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G ,  H01L 29/78 311 A