特許

J-GLOBAL ID：200903075051955590

o-キシレン/ナフタレン混合物の接触気相酸化による無水フタル酸の製法

発明者： トーマス ハイデマン ,  ハイコ アーノルト ,  ゲアハルト ヘーフェレ ,  ヘルベルト ヴァンイェク
出願人/特許権者： ビーエーエスエフ アクチェンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-550840
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516320
出願日： 1999年05月10日
公開日（公表日）： 2002年06月04日
要約：

【要約】総触媒体積の25〜75体積%を占め、触媒活性組成物に対してそれぞれ、酸化バナジウム(V2O5として計算)1〜10質量%、酸化アンチモン(Sb2O3として計算)1〜10質量%およびBET表面積が13〜28m2/gであるアナタース形二酸化チタン80〜98質量%、並びにセシウム(Csとして計算)0.05〜1質量%をステアタイトの支持体に担持して含有し、気体導入部側上の第1ゾーンに存在する触媒I、および総触媒体積の残りである75〜25体積%を占め、触媒活性組成物に対してそれぞれ、酸化バナジウム(V2O5として計算)1〜10質量%、酸化アンチモン(Sb2O3として計算)1〜10質量%およびBET表面積が13〜28m2/gであるアナタース形酸化チタン80〜98質量%、さらにセシウム(Csとして計算)0.01〜1質量%をステアタイトの支持体に担持して含有し、第2ゾーンに存在する触媒IIを用いて、o-キシレン/ナフタレン混合物を気相接触酸化して無水フタル酸を製造する方法において、触媒IIのセシウム含量が触媒Iのセシウム含量の15質量%を下回り、触媒Iおよび触媒IIを、ニオブ化合物の添加なしに製造することを特徴とする、o-キシレン/ナフタレン混合物の気相接触酸化による無水フタル酸の製法。

請求項（抜粋）：

総触媒体積の25〜75体積%を占め、触媒活性組成物に対してそれぞれ、酸化バナジウム(V2O5として計算)1〜10質量%、酸化アンチモン(Sb2O3として計算)1〜10質量%およびBET表面積が13〜28m2/gであるアナタース形二酸化チタン80〜98質量%、並びにセシウム(Csとして計算)0.05〜1質量%をステアタイトの支持体に担持して含有し、気体導入部側上の第1ゾーンに存在する触媒I、および総触媒体積の残りである75〜25体積%を占め、触媒活性組成物に対してそれぞれ、酸化バナジウム(V2O5として計算)1〜10質量%、酸化アンチモン(Sb2O3として計算)1〜10質量%およびBET表面積が13〜28m2/gであるアナタース形酸化チタン80〜98質量%、さらにセシウム(Csとして計算)0.01〜1質量%をステアタイトの支持体に担持して含有し、第2ゾーンに存在する触媒IIを用いて、o-キシレン/ナフタレン混合物を気相接触酸化して無水フタル酸を製造する方法において、触媒IIのセシウム含量が触媒Iのセシウム含量の15質量%を下回り、触媒Iおよび触媒IIを、ニオブ化合物の添加なしに製造することを特徴とする、o-キシレン/ナフタレン混合物の気相接触酸化による無水フタル酸の製法。

Fターム (5件)：

4C037RB04 ,  4C037RB09 ,  4C037RB10 ,  4C037RB14 ,  4C037RB20