特許

J-GLOBAL ID：200903075052140604

液晶層配向制御用突起の製造方法

発明者： 佐藤 行一 ,  藤井 幸男
出願人/特許権者： 新エスティーアイ テクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-004706
公開番号（公開出願番号）：特開2003-207784
出願日： 2002年01月11日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 液晶層配向制御用突起の寸法の基板表面内均一性を向上可能な液晶層配向制御用突起の製造方法を提供する。【解決手段】 基板表面内の突起寸法の均一性を向上させるため、露光量Eは、現像処理時のポジ型フォトレジストの完全溶解露光量E0(現像後のレジストの厚みがなくなる露光量)の1倍より大きく3倍未満に設定される。この場合、ポジ型フォトレジストを完全溶解露光量の1倍で露光した場合によりも、また、3倍以上で露光した場合よりも、突起CF1(TS1)の寸法の面内均一性を向上させることができる。

請求項（抜粋）：

基板表面上にポジ型フォトレジストを塗布し、前記ポジ型フォトレジストにフォトマスクを介して所定の露光量でプロキシミティー露光を施した後、現像処理を行うことにより、前記ポジ型フォトレジストをパターニングし、前記基板表面上に前記ポジ型フォトレジストからなる液晶層配向制御用突起を複数形成する液晶層配向制御用突起の製造方法において、前記所定の露光量は、前記現像処理時の前記ポジ型フォトレジストの完全溶解露光量の1倍より大きく3倍未満に設定されることを特徴とする液晶層配向制御用突起の製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/1337 ,  G02F 1/1335 505 ,  G03F 7/20 501

FI (3件)：

G02F 1/1337 ,  G02F 1/1335 505 ,  G03F 7/20 501

Fターム (16件)：

2H090HA16 ,  2H090HB07 ,  2H090HC11 ,  2H090HC19 ,  2H090KA07 ,  2H090LA15 ,  2H090MA01 ,  2H091FA02Y ,  2H091FB02 ,  2H091FB12 ,  2H091GA06 ,  2H091HA09 ,  2H091LA19 ,  2H097FA02 ,  2H097GA45 ,  2H097LA12