特許

J-GLOBAL ID：200903075053447762

半導体集積回路

発明者： 佐藤 一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 平戸 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-271973
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139276
出願日： 1994年11月07日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】回路の劣化程度をモニタする劣化モニタ回路を内蔵してなる半導体集積回路に関し、外部端子の増加を招くことなく、実回路の劣化の程度を高い精度で判定することができるようにする。【構成】モニタ配線を有する劣化モニタ回路201〜20nと、モニタ配線に断線が発生した劣化モニタ回路の数に対応させてなる実回路15の残り寿命データを記憶するRAM37を含む劣化程度判定回路28と、レジスタ42とを設け、モニタ配線に断線が発生した劣化モニタ回路の数に対応する実回路15の残り寿命データをRAMから出力してレジスタ42に格納し、このレジスタ42に格納させた実回路15の残り寿命データをデータ入出力バッファ18を介して外部に出力させる。

請求項（抜粋）：

実回路の劣化をモニタするモニタ素子を有し、このモニタ素子が不良になったか否かを異なる論理レベルで示すモニタ信号を出力する複数の劣化モニタ回路と、これら複数の劣化モニタ回路から出力される前記モニタ信号に基づいて前記実回路の劣化の程度を判定し、劣化程度判定データを出力する劣化程度判定回路と、この劣化程度判定回路から出力される前記劣化程度判定データを外部から読出し可能な状態で保持する劣化程度判定データ保持回路とを含めて構成されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01R 31/26 ,  G01R 31/28 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 27/04 T ,  G01R 31/28 V