特許

J-GLOBAL ID：200903075055651081

レジスト材料およびパターン形成方法

発明者： 小太刀 明子 ,  武智 敏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-331746
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140667
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：

【要約】【目的】 十分な微細パターンが形成することが可能なレジスト材料およびそのようなレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。【構成】 シリコン(Si)含有アクリレートと酸(プロトン酸)によって脱離する基を有し、この基の脱離後は極性が変化して水性アルカリ溶液(現像液)に可溶となるアクリレートとの共重合体および放射線照射により酸を発生する光酸発生剤を含む材料をレジストして用いる。

請求項（抜粋）：

下記式Iで表される共重合体および光酸発生剤を含むレジスト材料。【化1】〔上式中、R1 およびR3 はそれぞれ独立に水素、C1-4 アルキル、ハロゲン、ハロゲン化(C1-4 )アルキル、ニトリルまたはフェニルを表し、R2 は下記式II、【化2】(上式中、R5 はC1-4 アルキレンを表し、R6 、R7 およびR8 はそれぞれ独立にC1-4 アルキル、ハロゲン化(C1-4 )アルキル、フェニルまたはトリ(C1-4 )アルキルシリル(C1-4 )アルキルを表す)で表される基を表し、R4 は酸によって脱離する基を表し、mおよびnは正の整数である〕

IPC (9件)：

G03F 7/075 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/26 511 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 511 ,  G03F 7/40 521 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 561 ,  H01L 21/30 573

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-309358
  
• 特開平4-026850
  
• 特開平4-052648
  
• 特開平3-261952
  
• 特開平4-042229