半導体素子の作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-289239
公開番号（公開出願番号）：特開平9-107115
出願日： 1995年10月11日
公開日（公表日）： 1997年04月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、低コストで歩留りよく作製することが可能で、特性の均一性および信頼性に優れたロール・ツー・ロール法による半導体素子の作製方法を提供することを目的としている。【解決手段】本発明は、一面に素子作製面を、他面に非素子作製面を有する帯状基体を長手方向に移動させながら前記素子作製面に連続的に堆積膜を形成する半導体素子の作製方法において、前記帯状基体の非素子作製面に非単結晶膜を堆積させて前記素子作製面に半導体素子を作製するようにしたことを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

一面に素子作製面を、他面に非素子作製面を有する帯状基体を長手方向に移動させながら前記素子作製面に連続的に堆積膜を形成する半導体素子の作製方法において、前記帯状基体の非素子作製面に非単結晶膜を堆積させて前記素子作製面に半導体素子を作製するようにしたことを特徴とする半導体素子の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 31/04 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 31/04 T , C23C 16/24 , C23C 16/50 , H01L 21/205 , H01L 21/285 C

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