露光方法および半導体素子製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-268691
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092744
出願日： 1988年11月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】強度ばらつきを有する複数のパルスエネルギーによってウェハ等を露光する際の露光量制御精度を向上させつつスループットを高めた露光方法を提供する。【構成】レチクルパターンをウェハ上に投影する投影光学系と、パルス光源からの複数のパルスエネルギーをレチクルに向けて照射する照射系とを備えた露光装置を用いてウェハ上にパターンを露光する際、ウェハを投影露光する間は、所定の発振周波数に対応した時間間隔でパルス光源からパルスエネルギーを繰り返し射出させ、射出されたパルスエネルギー毎にウェハ上での露光量に対応した値を検出し、その検出結果と予め各パルスエネルギー毎に設定された目標露光量とに基づいて繰り返し発振の時間間隔内でパルスエネルギーの強度を高速に調整する。

請求項（抜粋）：

第1物体のパターンを感光性の第2物体上の所定領域に投影する投影光学系と、パルス光源から発振される複数のパルスエネルギーを前記第1物体に向けて照射する照射系とを備えた露光装置を用いて前記第2物体上にパターンを露光する方法において、第1物体のパターンを第2物体上に投影する間は、所定の発振周波数に対応した時間間隔で前記パルス光源からパルスエネルギーを繰り返し射出させるとともに、射出されたパルスエネルギー毎に第2物体上での露光量に対応した値を検出し、その検出結果と予め各パルスエネルギー毎に設定された目標露光量とに基づいて前記繰り返し発振の時間間隔内でパルスエネルギーの強度を高速に調整することを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 505 , G03F 7/20 521

FI (5件)：

H01L 21/30 516 D , G03F 7/20 505 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 G , H01L 21/30 515 B

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