特許
J-GLOBAL ID：200903075057687989
半導体検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺山 亨 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337400
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201945
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】発光素子の光出力を高精度、高信頼でかつ安価に測定できる発光素子用ウェハープローバからなる半導体検査装置を提供する。【構成】本発明は、発光素子に電圧印加、電力供給、電圧測定及び電流測定を行うためのプローブカードと光量測定を行うための受光装置とを備えた発光素子用ウェハープローバ装置からなる半導体検査装置において、受光装置の受光面がプローブカードに対して所定の位置に固定されており、かつ受光装置の受光面はウェハー上の被測定素子の発光部よりウェハーに対して垂直に出る光束を遮断しない位置に設置されていることを特徴とする。【効果】上記構成により、受光装置の受光面とウェハー上の発光素子の相対的位置関係を正確に保持でき正確な測定が可能となる。また受光装置の構造も簡単にできるため装置の小型化が図れ、受光面を素子に近接して配置でき測定感度の向上を図れる。
請求項（抜粋）：
発光半導体素子(以下、発光素子と記す)に電圧印加、電流供給、電圧測定及び電流測定を行なうためのプローブカードと光量測定を行なうための受光装置とを備えた発光素子用ウェハープローバ装置からなる半導体検査装置において、上記受光装置の受光面がプローブカードに対して所定の位置に固定されており、かつ受光装置の受光面はウェハー上の被測定素子の発光部よりウェハーに対して垂直に出る光束を遮断しない位置に設置されていることを特徴とする半導体検査装置。
IPC (4件)：
H01L 21/66
, G01N 21/00
, G01R 1/073
, G01R 31/26
出願人引用 (3件)
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特開平2-275366
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特開平4-044061
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特開昭62-274235
審査官引用 (6件)
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