特許

J-GLOBAL ID：200903075060480970

シリコンの製造法

発明者： 寶地戸 雄幸 ,  二木 剛彦
出願人/特許権者： 株式会社高純度化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-041680
公開番号（公開出願番号）：特開平6-219724
出願日： 1993年01月21日
公開日（公表日）： 1994年08月09日
要約：

【要約】【目的】 シリコン薄膜の成膜時に全く加熱を要しないシリコン薄膜の製造法と粒子性に優れたシリコン粉末の製造法を提供することを目的とする。【構成】 SiHx(OR)4-x、(ここでxは0、1、2または3、RはCH3、C2H5、C3H7またはC4H9)の分子式で表されるアルコキシシランにSiyH2y+2、(ここでyは1、2または3)の分子式で表されるシランを混ぜて、ゲージ圧50KPa以上の圧力下に置くことによってシリコン粉末並びに基体上にシリコン薄膜を得るシリコンの製造法。

請求項（抜粋）：

SiHx(OR)4-x、(ここでxは0、1、2または3、RはCH3、C2H5、C3H7、またはC4H9)の分子式で表されるアルコキシシランにSiyH2y+2、(ここでyは1、2または3)の分子式で表されるシランを混ぜて、ゲージ圧50KPa以上の圧力下に置くことによってシリコン粉末を得ることを特徴とするシリコン粉末の製造法。

IPC (2件)：

C01B 33/021 ,  C23C 16/24