特許

J-GLOBAL ID：200903075063344465

薄膜半導体装置の製造方法

発明者： 諸沢 成浩
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213963
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078688
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 緻密で高品質なゲート絶縁膜を低温で作製し、素子特性および信頼性に優れたTFTを低温プロセスで得る。【構成】 半導体層2上にゲート絶縁膜3を成膜した後、レーザーアニールを行う。このレーザーアニールにより、半導体層2とゲート絶縁膜3との界面近傍におけるゲート絶縁膜3の緻密化と界面原子のネットワークの再構成が行って、界面準位密度を減少させると共に良好な界面を形成する。このレーザーアニールは、半導体層2とゲート絶縁膜3との界面が800°C〜1000°Cとなるようなエネルギー密度で行うのが望ましい。

請求項（抜粋）：

チャネル半導体層とゲート絶縁膜とが接する構造を有する薄膜半導体装置の製造方法であって、該チャネル半導体層と該ゲート絶縁膜とを順次成膜し、その後、レーザーアニールを行う薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-119974
  
• 薄膜状半導体装置の作製方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-191934   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所