特許

J-GLOBAL ID：200903075063837453

半導体装置の製造方法

発明者： 長田 俊彦 ,  北村 芳隆
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-112761
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315315
出願日： 1992年05月01日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板上に梁状体(片持ち梁、両持ち梁)を形成する方法の改良に関し、犠牲層をエッチング除去して半導体基板上に梁状体を形成するにあたり、梁状体に損傷を与えることなくエッチング後のリンスに使用されたリンス液を短時間で乾燥する方法を提供することを目的とする。【構成】 半導体基板1上に、少なくとも1点において半導体基板1に支持される梁状体4を犠牲層2を介して形成し、犠牲層2をエッチング除去した後リンス液に浸漬してリンスし、リンス液を減圧下で乾燥して半導体基板1上に梁状体4を形成するようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)上に、少なくとも1点において該半導体基板(1)に支持される梁状体(4)を犠牲層(2)を介して形成し、該犠牲層(2)をエッチング除去した後リンス液に浸漬してリンスし、該リンス液を減圧下で乾燥させる工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。