半導体基板上に低誘電率を有する膜を形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：竹内澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320056
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141345
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】低い比誘電率、高い耐熱性、高い耐吸湿性及び高い密着性を有する膜を形成する方法を与える。【解決手段】リアクタ内でプラズマ反応によって半導体基板上に低い比誘電率を有する膜を形成するための方法において、リアクタ内での反応ガスの滞留時間Rtを100msec≦Rtとなるよう延長することを特徴とする。膜は絶縁膜及びマスク膜を含む。

請求項（抜粋）：

リアクタ内でプラズマ反応によって半導体基板上に低い比誘電率を有する膜を形成するための方法において、リアクタ内での反応ガスの滞留時間Rtを100msec≦Rtとなるように延長することを特徴とする方法であって、Rt[s]=9.42×107(Pr・Ts/Ps・Tr)rw2d/Fここで、Pr:反応チャンバ圧力(Pa)Ps:標準気圧(Pa)Tr:反応ガスの平均温度(K)Ts:標準温度(K)rw:シリコン基板の半径(m)d:シリコン基板と上部電極との間隔(m)F:反応ガスの総流量(sccm)である方法。

IPC (3件)：

H01L 21/314 , C23C 16/505 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/314 A , C23C 16/505 , H01L 21/90 J

Fターム (29件)：

4K030AA06 , 4K030BA37 , 4K030BA41 , 4K030BA51 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030JA01 , 4K030JA03 , 4K030JA05 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA11 , 4K030LA15 , 5F033RR00 , 5F033SS01 , 5F033SS15 , 5F033WW00 , 5F033XX24 , 5F058BA07 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BF07 , 5F058BF23 , 5F058BF24 , 5F058BF26 , 5F058BF27 , 5F058BF37 , 5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

絶縁膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-029302 出願人：日本エー・エス・エム株式会社
ハロゲンをドープした酸化珪素膜の膜安定性を改良する方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-284992 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
特開平4-345030

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