特許
J-GLOBAL ID：200903075075495892
半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-236827
公開番号（公開出願番号）：特開平6-203567
出願日： 1993年09月22日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【構成】 本発明スタチック形ランダム・アクセス・メモリ装置では、全メモリセルが複数個の象限領域に分割されている。各等分領域は複数個の区分を持ち、各区分は複数個のメモリセルより成る。【効果】各等分領域で1つの区分が同時に付勢され、等分領域にはそれ自身のセンス増幅器と全域データ線が備わっているので、各全域データ線の長さは短縮され、メモリ装置の一層高速な動作がもたらされる。
請求項（抜粋）：
複数個のセンス増幅器及び複数個の等分領域に空間的に分割された複数個のメモリセルを持つシングル・チップのスタチック形ランンダム・アクセス半導体メモリ装置であって、前記等分領域の各々が複数個の区分を持ち、前記等分領域の各々は夫々の等分領域内のみでメモリセルに接続された個々の全域データ線を有している半導体メモリ装置。
FI (2件)：
G11C 11/34 301 E
, G11C 11/34 345
