特許

J-GLOBAL ID：200903075079126140

強磁性半導体素子、強磁性半導体のスピン分極方法

発明者： 大野 英男 ,  松倉 文▲礼▼ ,  篁 耕司
出願人/特許権者： 東北大学長
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-211173
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055822
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】強磁性転移温度を十分に向上させ、次世代のデバイスとして使用することのできる強磁性半導体素子、及びこのような強磁性半導体素子を提供するための強磁性半導体のスピン分極方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上に、強磁性半導体層2及び室温強磁性体層3を順次に積層して強磁性半導体素子10を作製する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定の半導体基板上において、強磁性半導体層と、室温強磁性体層とを順次に積層してなることを特徴とする、強磁性半導体素子。

IPC (4件)：

H01L29/82 ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  H01L43/00

FI (4件)：

H01L29/82 Z ,  H01F10/193 ,  H01F10/32 ,  H01L43/00

Fターム (5件)：

5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA11 ,  5E049DB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-120249   出願人：三洋電機株式会社
• 強磁性スピントンネル効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-023256   出願人：株式会社豊田中央研究所