特許

J-GLOBAL ID：200903075080589676

半導体薄膜の加工方法及び容量素子を有する半導体装置の製造方法

発明者： 渋谷 司
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-249642
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098191
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体薄膜上に制御性や再現性良く凹凸を形成できる半導体薄膜の加工方法、及び保持容量値の大きな容量素子をもつ半導体装置を制御性と再現性良く形成できるような半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 洗浄した絶縁性基板上に形成した遮光膜1を所定パターンに加工した後、SiO2のベースコート膜2をCVD法で堆積する。次に非晶質Si(a・Si)の半導体薄膜3を堆積し、このa・Si膜3をパターン加工した後、該膜に第1のレーザ光照射を行ない、a・Siを多結晶のp.Siに結晶化させる。さらに絶縁性基板の裏面から容量形成領域のp・Siからなる薄膜3にのみ第2のレーザ光照射を行って凹凸4を形成する。次にSiO2のゲート絶縁膜5を堆積するが、該膜5は容量素子の絶縁膜としても役立つ。次にAl-Siを堆積後パターニングしゲート電極6と容量素子電極7、さらに層間絶縁膜8、ソース及びドレイン電極9,10を形成完成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板または表面に絶縁性膜を形成した基板上に形成された非晶質半導体薄膜を、レーザー光を用いてアニールすることにより、結晶性を有する半導体薄膜とする半導体薄膜の加工方法において、半導体薄膜の所望する領域に、所望しない領域よりもエネルギー密度の高いレーザー光を照射することにより、前記所望する領域の表面に凹凸を選択的に形成することを特徴とする半導体薄膜の加工方法。

IPC (8件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01L 29/78 627 G ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/302 J ,  H01L 27/04 C