特許

J-GLOBAL ID：200903075082073120

半導体レーザ

発明者： 上野 芳康 ,  藤井 宏明 ,  五明 明子
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235451
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055699
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザの発振閾値電流を低減し、高温動作特性を改善する。【構成】 活性層4は、〔-1,1,1〕または〔1,-1,1〕方向に秩序状態を持ち、かつ、(0,0,1)面内に圧縮歪を持つ半導体層を少なくとも含む。秩序状態と圧縮歪の作用により該活性層中の再結合光は(1,1,0)面内へ放射し、該再結合光はより効率的に発振モードに利得を与える。

請求項（抜粋）：

(0,0,1)面を持つ半導体基板と、(0,0,1)面内圧縮歪を持ち、かつ、〔-1,1,1〕または〔1,-1,1〕方向に秩序状態を持つ化合物半導体層を少なくとも含む活性層と、該活性層を少なくとも含むレーザ共振器とを有することを特徴とする半導体レーザ。