特許

J-GLOBAL ID：200903075083614043

異物分析方法及び異物分析装置

発明者： 小山 達夫
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-061014
公開番号（公開出願番号）：特開平6-249790
出願日： 1993年02月24日
公開日（公表日）： 1994年09月09日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ1表面の各異物2、2、...を迅速に且つ自動的に分光分析できるようにする。【構成】 異物2の座標情報に基づいて顕微鏡カメラ9と半導体ウェハ1との相対的位置関係を該顕微鏡カメラ9の視野10内に異物2が納まるように自動的に調整し、顕微鏡カメラ9の出力映像信号の処理によりその異物2の視野10内における正確な位置を自動的に検出し、その位置の検出結果に基づいて半導体ウェハ1と分析用ビーム源11との位置関係を該分析用ビーム源11から出射される分析用ビーム12が当該異物2にあたるように自動的に調整し、その後、分析用ビーム12による異物2での二次光線14を検出して分光分析をする。以後、これを異物2一つ毎に順次行う。

請求項（抜粋）：

ウェハ表面検査機により検出された半導体ウェハ表面の異物の座標情報に基づいて上記半導体ウェハと顕微鏡カメラとの相対的位置関係を自動的に調整することにより顕微鏡カメラの視野内に異物が入るようにし、次に、顕微鏡カメラの視野内における異物の正確な位置を顕微鏡カメラの映像信号の処理により検出し、その正確な位置検出結果に基づいて分析用ビーム源と上記異物との間の位置関係を該分析用ビーム源から発生する分析用ビームが上記異物に照射されるように自動的に調整し、上記分析用ビーム源から分析用ビームを照射し、上記異物から発生する二次光線を検出することにより半導体ウェハ表面の異物の分光分析を行うことを特徴とする異物分析方法

IPC (5件)：

G01N 21/88 ,  G01N 21/00 ,  G06F 15/64 ,  H01L 21/66 ,  G06F 15/62 405

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-013835
  
• 特開昭62-005547
  
• 特開昭62-173731
  
• 特開昭59-010231