特許

J-GLOBAL ID：200903075084781415

半導体装置の表面検査装置及び表面検査方法

発明者： 時友 一雄
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-164500
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012683
出願日： 1996年06月25日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】表面状態が一様でない被測定物の高さを精度良く短時間で測定できる半導体装置の表面検査装置を提供する。【解決手段】光源1は、電源電圧の値に応じた強度の測定光を、被測定物2が突出形成された半導体基板3に照射する。検出手段4は被測定物2の反射光及び半導体基板3の反射光を検出する。制御装置5は検出手段4による被測定物2からの反射光の検出レベルを一定レベルに保持させる検出レベル調整手段6を備え、検出手段4の検出結果に基づいて被測定物2の高さを測定する。

請求項（抜粋）：

電源電圧の値に応じた強度の測定光を、被測定物が突出形成された半導体基板に照射する光源と、前記被測定物の反射光及び半導体基板の反射光を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に基づいて被測定物の高さを測定する制御装置とを備えた半導体装置の表面検査装置において、前記制御装置は、前記検出手段による被測定物からの反射光の検出レベルを一定レベルに保持させる検出レベル調整手段を備える半導体装置の表面検査装置。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/02 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 21/66 J ,  G01B 11/02 Z ,  H01L 21/60 321 Y ,  H01L 21/92 604 T