特許

J-GLOBAL ID：200903075087549904

基板処理方法および装置

発明者： 杉山 了一 ,  五ノ井 大介
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-110490
公開番号（公開出願番号）：特開2000-306887
出願日： 1999年04月19日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：

【要約】【課題】 高アスペクト比の溝や穴をエッチングする時間変調エッチングを行うエッチング装置等で、真空容器内に供給されるガスの種類を切り替える遷移時期においても、真空容器内に供給されるガス流量を容易に一定に保つようにする。【解決手段】 エッチングガスとデポジションガスをそれぞれのマスフローコントローラ13a、13bで流量制御した後、それらのガスを合流させた配管に取り付けられたマスフローコントローラ17で総合流量を制御し、真空容器1内に供給する。エッチングガスとデポジションガスの切り替え時においても、ガス流量が一定となるので真空容器1内の圧力変動がなくなり、プラズマが不安定とならず、エッチング側壁に荒れが生じず、滑らかな側壁を有する高アスペクト比の溝や穴を形成することができる。

請求項（抜粋）：

内部に基板を設置した真空容器に、複数の異なるガスをそれぞれの流量を独立してかつ時間に依存して制御しながら供給し、前記真空容器の内部でガスプラズマを発生させて前記基板に所定の処理を行う基板処理方法であって、前記真空容器内に供給される前記複数の異なるガスの総流量を一定値に制御することを特徴とする基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205

Fターム (19件)：

4K057DA04 ,  4K057DD09 ,  4K057DG07 ,  4K057DM40 ,  5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004EB01 ,  5F004FA08 ,  5F045DP03 ,  5F045EE04 ,  5F045EE13 ,  5F045EE19 ,  5F045EH11 ,  5F045HA03 ,  5F045HA13