化合物半導体発光素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-062667
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250982
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】厚いエピタキシャル層を形成せず、かつ、p型の窒化ガリウム系エピタキシャル層を形成せずに、青色系の発光をすることができる化合物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】p型半導体基板上にn型あるいはi型の正孔注入層を備え、前記p型半導体基板から正孔が注入されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体量子構造を形成する。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板上にn型あるいはi型の正孔注入層を備え、前記p型半導体基板から正孔が注入されうる距離に、少なくともインジウムとガリウムとを含む窒化物半導体量子構造を有することを特徴とする化合物半導体発光素子。

Fターム (8件)：

5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA33 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65

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