特許

J-GLOBAL ID：200903075093962856

半導体装置のリペア方法

発明者： 西山 知宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 宮本 恵司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-240119
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057453
出願日： 2000年08月08日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】はんだバンプを有するベアチップや微細ピッチBGAにも対応可能で、隣接する搭載部品の間隔に制限条件が無い半導体装置のリペア方法の提供。【解決手段】半導体装置1をプリント配線基板2から取り外す工程と、プリント配線基板2の基板電極に残っているはんだを除去する工程と、半導体装置1の電極配置と同一配置の凹形状の窪みを持つ、半導体装置1と略同一サイズのはんだ供給治具7にはんだペースト9を均一に充填する工程と、はんだ供給治具7のはんだペースト9をプリント配線基板2に転写し、予備はんだを形成する工程と、半導体装置1とプリント配線基板2とを溶融・接続する工程とによって半導体装置のリペアを行い、隣接部品3と間隔が狭い場合であっても、容易かつ確実に予備はんだを形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にはんだで実装されている半導体装置を加熱手段により加熱し、前記基板から前記半導体装置を取り外す工程と、前記基板上に残った余分なはんだをスクレーパーにより除去する工程と、前記基板にはんだペーストを供給する予備はんだ形成工程と、前記半導体装置と前記基板とを貼り合わせた後、前記加熱手段によりはんだを加熱・溶融して接合する再搭載工程とを含む半導体装置のリペア方法において、前記予備はんだの形成に際して、前記半導体装置の電極配置と同一位置に凹部が形成された、前記半導体装置と略同一サイズのはんだ供給治具に、スキージングによって前記はんだペーストを供給し、前記はんだ供給治具を前記基板に対向して配置した後、前記加熱手段により加熱・溶融することによって前記はんだペーストを前記基板に転写することを特徴とする半導体装置のリペア方法。

IPC (9件)：

H05K 3/34 510 ,  H05K 3/34 505 ,  H05K 3/34 509 ,  B23K 1/018 ,  B23K 3/00 310 ,  B23K 3/04 ,  B23K 3/06 ,  H01L 21/60 321 ,  B23K101:42

FI (9件)：

H05K 3/34 510 ,  H05K 3/34 505 A ,  H05K 3/34 509 ,  B23K 1/018 Z ,  B23K 3/00 310 P ,  B23K 3/04 Y ,  B23K 3/06 W ,  H01L 21/60 321 Z ,  B23K101:42

Fターム (14件)：

5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319BB05 ,  5E319CC48 ,  5E319CC53 ,  5E319CC58 ,  5E319CD04 ,  5E319CD26 ,  5E319CD57 ,  5E319GG01 ,  5E319GG05 ,  5F044KK02 ,  5F044LL01 ,  5F044LL04