特許

J-GLOBAL ID：200903075100680160

絶縁膜の形成方法

発明者： 木村 秀樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031160
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233508
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】直接トンネリングに起因したリーク電流の増加を抑制することができ、優れた特性を有する極薄の絶縁膜を形成することができる方法を提供する。【解決手段】絶縁膜の形成方法は、シリコン層40の表面に形成されたシリコン酸化膜42、及び、その上に形成された誘電体層43から成る絶縁膜の形成方法であって、シリコン層40の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層40の表面にシリコン酸化膜42を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン層の表面に形成されたシリコン酸化膜、及び、その上に形成された誘電体層から成る絶縁膜の形成方法であって、シリコン層の表面からシリコン原子が脱離しない雰囲気温度にて、湿式ガスを用いた酸化法によって該シリコン層の表面にシリコン酸化膜を形成することを特徴とする絶縁膜の形成方法。