半導体集積回路装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-218647
公開番号（公開出願番号）：特開平10-069781
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路装置の高速化を図ることである。【解決手段】入力バッファ回路において、2段目をBiNMOSノンインバータ102およびCMOSインバータ103で構成し、ドライバ回路をBiNMOSプッシュプル回路106,107で構成する。

請求項（抜粋）：

複数の選択線、前記複数の選択線に隣接するように配置される予備選択線、前記複数の選択線の一方の端部側に配置され、前記複数の選択線のいずれかを選択する第1の選択手段、および前記複数の選択線の他方の端部側に配置され、前記複数の選択線のいずれかを選択する第2の選択手段を含み、前記複数の選択線は、交互に前記第1および第2の選択手段に結合され、前記第1の選択手段に結合される複数の選択線のいずれかに不良がある場合に、前記第1の選択手段を順次隣接する選択線または予備選択線に結合する第1の不良救済手段、および前記第2の選択手段に結合される複数の選択線のいずれかに不良がある場合に、前記第2の選択手段を順次隣接する選択線または予備選択線に結合する第2の不良救済手段をさらに含む、半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

G11C 11/414 , H03K 19/01 , H03K 19/08

FI (3件)：

G11C 11/34 315 , H03K 19/01 , H03K 19/08 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-247890
特開昭62-058487
特開平3-176899

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