フォトマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-103690
公開番号（公開出願番号）：特開平10-293393
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】実際のマスク欠陥の形状・大きさ・光学濃度等の情報を精度良く取り込み、かつ、系統的な欠陥解析を迅速・容易に行うことができるマスク欠陥解析装置および欠陥解析方法を提供すること。【解決手段】欠陥観察ユニット1においてフォトマスク3上の欠陥情報を欠陥観察部5に取り込み、画像情報記録部7へ記憶すると共に、画像情報出力部8からこの情報を欠陥解析ユニット9へ受け渡す。そして画像情報を画像変換部11にて適宜データ変換した後、パターンデータ合成部12にてフォトマスクパターンと欠陥画像データとを合成し、光強度シミュレーション部14にてシミュレーションを行う。これを解析することにより、実際のフォトマスク欠陥の画像情報を元にした高精度な欠陥情報をもって解析することができ、かつシミュレーションの利用によって迅速・容易に欠陥解析が可能となる。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィ工程におけるフォトマスク上の欠陥の影響を解析するためのフォトマスク欠陥解析装置において、前記フォトマスク上の欠陥の画像情報を抽出する抽出手段と、前記抽出手段により抽出された欠陥の画像情報と、予め記憶していたフォトマスクパターンデータとに基づいて光強度シミュレーションを行った後、そのシミュレーション結果を解析する解析手段とを具備することを特徴とするフォトマスク欠陥解析装置。

IPC (3件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027 , H01L 21/66

FI (4件)：

G03F 1/08 S , H01L 21/66 J , H01L 21/66 Z , H01L 21/30 502 V

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