特許
J-GLOBAL ID：200903075116594507
太陽電池セル及び太陽電池モジュール
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 市太郎
, 寺山 啓進
, 三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-142415
公開番号（公開出願番号）：特開2008-300440
出願日： 2007年05月29日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】貫通孔(スルーホール)周囲で発生するリーク電流を低減し、変換効率を向上する。【解決手段】n型単結晶シリコン基板11の受光面に、p型アモルファスシリコン層12をCVDにより積層し、続いて裏面にn型アモルファスシリコン層13を積層し、n型単結晶シリコン基板11、p型アモルファスシリコン層12、n型アモルファスシリコン層13にスルーホール14を形成する。次に、光電変換部10の裏面におけるスルーホール14の開口部周辺に平坦化処理を施して平坦化領域17を形成する。平坦化領域17及びスルーホール14の内壁面に絶縁層15を形成し、導電体16を充填する。これにより、絶縁層15と光電変換部10の裏面との接合面の不均一さから生じるリーク電流を低下させることができる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
受光面と前記受光面の反対に設けられた裏面とを有しており前記受光面上及び前記裏面上にテクスチャが形成されている第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記受光面上に形成される第2導電型の第1半導体層と、
前記第1半導体層と前記半導体基板とを貫通する複数の貫通孔と、
前記半導体基板の裏面における前記複数の貫通孔の各々の周囲にある前記テクスチャを平坦化する処理が施された平坦化領域と、
前記複数の貫通孔の各々の内壁面及び前記平坦化領域に跨って形成された絶縁層と、
前記第1半導体層上に形成されたキャリア収集用電極と、
前記複数の貫通孔の各々の内部に前記絶縁層を介して充填されており、前記キャリア収集用電極と電気的に接続される導電体と、
前記平坦化領域上に形成されており前記導電体と電気的に接続される電極とを有し、
前記電極は、前記平坦化領域上に形成された前記絶縁層により前記半導体基板と絶縁されていることを特徴とする太陽電池セル。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F051AA02
, 5F051CA02
, 5F051CA04
, 5F051CB21
, 5F051DA03
, 5F051GA04
, 5F051GA15
