特許

J-GLOBAL ID：200903075118049468

磁気抵抗効果膜の製造方法

発明者： 梅本 卓史 ,  前田 篤志 ,  田沼 俊雄 ,  久米 実
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-071790
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270776
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：

【要約】【課題】 強磁性層または反強磁性層等の磁性層を含む積層膜から構成される磁気抵抗効果膜を製造する方法において、高い磁界感度を有する磁気抵抗効果膜を製造する方法を得る。【解決手段】 積層膜のうちの少なくとも1つの強磁性層3を、水素ガスを含む、例えばXe雰囲気中で、イオンビームスパッタリングなどのスパッタリング法により形成することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

磁性層を含む積層膜から構成される磁気抵抗効果膜を製造する方法において、前記積層膜のうちの少なくとも1つの磁性層を、水素ガスを含む雰囲気中でスパッタリング法により形成することを特徴とする磁気抵抗効果膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 43/12 ,  C23C 14/34 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18

FI (4件)：

H01L 43/12 ,  C23C 14/34 P ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/18